Elpida sta sviluppando le memorie ReRAM

Elpida Memory, Inc. uno dei maggiori produttori di Chip DRAM (Dynamic Random Access Memory), ha annunciato lo sviluppo del primo prototipo ad alte prestazioni di memoria non volatile denominata ReRAM. Il prototipo ReRAM è stato creato con processo produttivo a 50 nanometri (nm) con un array di celle da 64 Megabits, la massima densità possibile con memorie ReRAM. Il prototipo è stato sviluppato in collaborazione con NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization , un ente pubblico Giapponese); hanno contribuito allo sviluppo del prototipo ReRAM Sharp Corporation, l’AIST ( National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, un altro ente pubblico giapponese) e l’Università di Tokyo.

Chip Prototipo ReRAM Elpida

ReRAM, acronimo di Resistance Random Access Memory è la prossima generazione tecnologica di memoria a semiconduttore che utilizza materiali che cambiano la resistenza in risposta alle variazioni della tensione elettrica. Questo nuovo tipo di memoria non volatile è in grado di memorizzare i dati anche quando l'alimentazione viene spenta. La sua caratteristica più interessante è che può leggere e scrivere dati ad alta velocità con poca tensione. Mentre le memorie DRAM hanno prestazioni di letture e scrittura superiori alle attuali memoria non volatili ma perdono i dati memorizzati quando l'alimentazione viene rimossa. Le memorie NAND flash sono un esempio di memoria non volatile, conserva i dati anche quando l'alimentazione viene rimossa, ma ha delle prestazioni in lettura e scrittura nettamente inferiori alle memorie DRAM.

RAM DDR3 composto da memorie DRAM, le momorie DRAM sono utilizzate negli standard DDR, DDR2, DDR3 e le varianti dedicate alle schede grafiche GDDR3, GDDR5.

Le memorie ReRAM uniscono i lati positivi delle memorie DRAM ( le attuali memorie di sitema, RAM) e NAND Flash (alla base di SSD e pen drive USB), ha una velocità di scrittura di 10 nanosecondi , più o meno come le memorie DRAM, e i dati saranno archiviati nelle celle per una durata molto superiore anche se confrontata ad un cella NAND Flash, 10 volte più a lungo. Elpida progetta di continuare lo sviluppo di delle Memori ReRAM, e di rendere disponibile nel 2013 i primi modelli con capacità nell’ordine dei Gigabit con processo produttivo a 30 nanometri. Se le nuove memorie ReRAM avranno un basso costo contribuiranno alla diminuzione dei consumi, e saranno utilizzate in svariati prodotti come Smartphone, Tablet e PC.

Interno di un SSD, composto da celle di memoria NAND Flash.

Elpida continuerà a sviluppare il processo di migrazione e altre tecnologie relative alle memorie DRAM e al tempo stesso promuoverà lo sviluppo delle memorie ReRAM come una promettente nuova generazione di memoria che potrà sostituire le funzioni DRAM.